FQB8N60CTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

Увеличить

Только для справки

номер части	FQB8N60CTM
LIXINC Part #	FQB8N60CTM
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQB8N60CTM След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQB8N60CTM Технические характеристики

номер части:	FQB8N60CTM
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1255 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.13W (Ta), 147W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQ4153EY-T1_BE3	MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC	3337 Подробнее о заказе
FQI11P06TU	MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK	6903 Подробнее о заказе
NTA4015NT1G	MOSFET N-CH 20V 238MA SC75	174882 Подробнее о заказе
IRF223	N-CHANNEL POWER MOSFET	928 Подробнее о заказе
STP24N60M6	MOSFET N-CH 600V TO220	1898 Подробнее о заказе
STB2N62K3	MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263	923 Подробнее о заказе
IPB60R055CFD7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2	939 Подробнее о заказе
STP140N6F7	MOSFET N-CH 60V 80A TO220	950 Подробнее о заказе
IXTY1R6N50D2-TRL	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA	3546 Подробнее о заказе
SI9407BDY-T1-E3	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO	934 Подробнее о заказе
SCT3120AW7TL	TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7	1917 Подробнее о заказе
PSMN013-100ES,127	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4989 Подробнее о заказе
AOD600A70	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252	3355 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015