IPW65R048CFDAFKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW65R048CFDAFKSA1 | IPW65R048CFDAFKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R048CFDAFKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPW65R048CFDAFKSA1
LIXINC Part #	IPW65R048CFDAFKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPW65R048CFDAFKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPW65R048CFDAFKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPW65R048CFDAFKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	63.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 29.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 2.9mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7440 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	500W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3
упаковка / чехол:	TO-247-3

DMG3415U-7	MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3	945 Подробнее о заказе
MCH3377-TL-W	MOSFET P-CH 20V 3A 3MCPH	3949 Подробнее о заказе
IRF740BPBF	MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB	1276 Подробнее о заказе
DMT69M8LFV-13	MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333	920 Подробнее о заказе
NTMFS6H801NT1G	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN	964 Подробнее о заказе
FDP6030L	MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3	64464 Подробнее о заказе
RJK6014DPP-E0#T2	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	6007 Подробнее о заказе
NDD03N60ZT4G	MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK	8497 Подробнее о заказе
BSC042N03LSG	BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P	8853 Подробнее о заказе
SQJA46EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	915 Подробнее о заказе
FQPF7N65C	MOSFET N-CH 650V 7A TO220F	20821 Подробнее о заказе
AOWF11N70	MOSFET N-CH 700V 11A TO262F	882 Подробнее о заказе
IRF640NSPBF	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK	883 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015