Только для справки
| номер части | IRF640NSPBF |
| LIXINC Part # | IRF640NSPBF |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF640NSPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF640NSPBF |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 18A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 150mOhm @ 11A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 67 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.16 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SIJ462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8 | 3493 Подробнее о заказе |
|
| FQB44N10TM | MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK | 1538 Подробнее о заказе |
|
| NDBA180N10BT4H | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 56956 Подробнее о заказе |
|
| DMP3036SFG-7 | MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8 | 3657 Подробнее о заказе |
|
| IRFB3004PBF | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB | 979 Подробнее о заказе |
|
| BSC025N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 4772 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6005LK3-13 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK | 842 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4177PR2G | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC | 958 Подробнее о заказе |
|
| IXFB110N60P3 | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | 242979 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H009LPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 889 Подробнее о заказе |
|
| IPB039N10N3GE8187ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | 890 Подробнее о заказе |
|
| IPSA70R360P7SAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3 | 2486 Подробнее о заказе |
|
| DMT8008LFG-7 | MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 | 2944 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10924 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.36000 | $0.36 |
| 10 | $0.31886 | $3.1886 |
| 100 | $0.25200 | $25.2 |
| 500 | $0.19543 | $97.715 |
| 1000 | $0.15429 | $154.29 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.