IPB180N04S4L01ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB180N04S4L01ATMA1 | IPB180N04S4L01ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB180N04S4L01ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB180N04S4L01ATMA1
LIXINC Part #	IPB180N04S4L01ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB180N04S4L01ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB180N04S4L01ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB180N04S4L01ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 140µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	245 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	19100 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	188W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

NVR4501NT1G	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3	2147484616 Подробнее о заказе
STL18N65M5	MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT	22001 Подробнее о заказе
STD155N3LH6	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK	879 Подробнее о заказе
CXDM4060P TR PBFREE	MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89	164412968 Подробнее о заказе
IPB240N03S4LR9ATMA1	MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7-3	28816 Подробнее о заказе
APT75M50L	MOSFET N-CH 500V 75A TO264	883 Подробнее о заказе
BUK663R7-75C,118	PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM,	983 Подробнее о заказе
NVMYS7D3N04CLTWG	MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK	297115939 Подробнее о заказе
MMFTN3402	MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23-3	971 Подробнее о заказе
FDD6296	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	40819 Подробнее о заказе
FDD5670	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	54066 Подробнее о заказе
BSC030P03NS3GAUMA1	MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON	2204 Подробнее о заказе
RSR025P03TL	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3	1014 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.57990	$1.5799
1000	$1.57990	$1579.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015