IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB240N03S4LR9ATMA1
LIXINC Part # IPB240N03S4LR9ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB240N03S4LR9ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB240N03S4LR9ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB240N03S4LR9ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:240A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.92mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 180µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:300 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:20300 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):231W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

APT75M50L APT75M50L MOSFET N-CH 500V 75A TO264 910

Подробнее о заказе

BUK663R7-75C,118 BUK663R7-75C,118 PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM, 828

Подробнее о заказе

NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK 297115933

Подробнее о заказе

MMFTN3402 MMFTN3402 MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23-3 931

Подробнее о заказе

FDD6296 FDD6296 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 40955

Подробнее о заказе

FDD5670 FDD5670 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 54184

Подробнее о заказе

BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON 2187

Подробнее о заказе

RSR025P03TL RSR025P03TL MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 921

Подробнее о заказе

UPA2794GR-E2-AZ UPA2794GR-E2-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 955

Подробнее о заказе

NTGS3443BT1G NTGS3443BT1G MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP 72863

Подробнее о заказе

NDBA170N06AT4H NDBA170N06AT4H MOSFET N-CH 60V 170A D2PAK 28140

Подробнее о заказе

CPH5871-TL-W CPH5871-TL-W 3.5A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET 3840

Подробнее о заказе

FDD8870 FDD8870 MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA 6017

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 28843 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.83000$1.83
1000$1.63610$1636.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top