Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN80R750P7ATMA1

IPN80R750P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN80R750P7ATMA1
LIXINC Part # IPN80R750P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN80R750P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN80R750P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN80R750P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:750mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 140µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:460 pF @ 500 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):7.2W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

IPN80R750P7ATMA1 Документы

if IPN80R750P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 917

Подробнее о заказе
FDA38N30 FDA38N30 MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 814

Подробнее о заказе
RSS070N05FRATB RSS070N05FRATB MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP 5165

Подробнее о заказе
SI7230DN-T1-E3 SI7230DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 3827

Подробнее о заказе
BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON 962

Подробнее о заказе
STP33N60DM2 STP33N60DM2 MOSFET N-CH 600V 24A TO220 1193

Подробнее о заказе
MCP07N65-BP MCP07N65-BP MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB 5590

Подробнее о заказе
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON 2682

Подробнее о заказе
SIHA5N80AE-GE3 SIHA5N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD 917

Подробнее о заказе
2SK1317-E 2SK1317-E MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P 831

Подробнее о заказе
IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7 848

Подробнее о заказе
SQS840CENW-T1_GE3 SQS840CENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W 3725

Подробнее о заказе
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A-F1-0000 N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 919

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19818 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.43000$1.43
3000$0.70822$2124.66
6000$0.67670$4060.2
15000$0.65419$9812.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top