BSZ021N04LS6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ021N04LS6ATMA1 | BSZ021N04LS6ATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ021N04LS6ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ021N04LS6ATMA1
LIXINC Part #	BSZ021N04LS6ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ021N04LS6ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ021N04LS6ATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ021N04LS6ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™ 6
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

STP33N60DM2	MOSFET N-CH 600V 24A TO220	1272 Подробнее о заказе
MCP07N65-BP	MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB	5604 Подробнее о заказе
IPZ40N04S53R1ATMA1	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON	2630 Подробнее о заказе
SIHA5N80AE-GE3	E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD	1045 Подробнее о заказе
2SK1317-E	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P	948 Подробнее о заказе
IPBE65R099CFD7AATMA1	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7	843 Подробнее о заказе
SQS840CENW-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W	3870 Подробнее о заказе
YJD80G06A-F1-0000	N-CH MOSFET 60V 80A TO-252	889 Подробнее о заказе
IPP034NE7N3G	IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P	2486 Подробнее о заказе
BUK7Y19-100EX	MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8	983 Подробнее о заказе
NTMFS4708NT3G	MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN	5844 Подробнее о заказе
FDS6064N3	MOSFET N-CH 20V 23A 8SO	32004 Подробнее о заказе
NX3020NAK,215	MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB	34785 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.87150	$0.8715

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015