IPD60R280P7SAUMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD60R280P7SAUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R280P7SAUMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD60R280P7SAUMA1
LIXINC Part #	IPD60R280P7SAUMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD60R280P7SAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD60R280P7SAUMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD60R280P7SAUMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 190µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	761 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	53W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STS7NF60L	MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO	2204 Подробнее о заказе
R6030KNXC7	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM	2562 Подробнее о заказе
SI3483DDV-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP	4920 Подробнее о заказе
NTD4970N-1G	MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK	15235 Подробнее о заказе
SIR462DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8	6919 Подробнее о заказе
TSM2312CX RFG	MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23	32021 Подробнее о заказе
FDMS7698	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1621 Подробнее о заказе
SIRA20BDP-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK	816 Подробнее о заказе
IPB22N03S4L15ATMA1	MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3	980 Подробнее о заказе
FDB8880	11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,	4887 Подробнее о заказе
FDC021N30	MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6	300081954 Подробнее о заказе
AOI5N40	MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A	880 Подробнее о заказе
TJ60S04M3L,LXHQ	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK	4778 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015