SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR462DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR462DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR462DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR462DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR462DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1155 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM2312CX RFG TSM2312CX RFG MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 32089

Подробнее о заказе

FDMS7698 FDMS7698 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1569

Подробнее о заказе

SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK 829

Подробнее о заказе

IPB22N03S4L15ATMA1 IPB22N03S4L15ATMA1 MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 979

Подробнее о заказе

FDB8880 FDB8880 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL, 4925

Подробнее о заказе

FDC021N30 FDC021N30 MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 300081924

Подробнее о заказе

AOI5N40 AOI5N40 MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A 853

Подробнее о заказе

TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 60A DPAK 4625

Подробнее о заказе

NTD78N03T4G NTD78N03T4G MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK 269821

Подробнее о заказе

NX7002BKR NX7002BKR MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 12983

Подробнее о заказе

2N7002 TR PBFREE 2N7002 TR PBFREE MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 41232

Подробнее о заказе

IXTA150N15X4 IXTA150N15X4 MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA 412121

Подробнее о заказе

SPD02N50C3 SPD02N50C3 MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3 69870

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 16896 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.23000$1.23
3000$0.57634$1729.02
6000$0.54928$3295.68
15000$0.52995$7949.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top