Только для справки
| номер части | IPU80R2K8CEAKMA1 |
| LIXINC Part # | IPU80R2K8CEAKMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPU80R2K8CEAKMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPU80R2K8CEAKMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.9A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 120µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 290 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO251-3 |
| упаковка / чехол: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| NTD40N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK | 853 Подробнее о заказе |
|
| SI2319CDS-T1-BE3 | MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23 | 3468 Подробнее о заказе |
|
| HTNFET-D | MOSFET N-CH 55V 8CDIP | 895 Подробнее о заказе |
|
| TSM210N02CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 | 2872 Подробнее о заказе |
|
| IRFU9220 | MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA | 962 Подробнее о заказе |
|
| FCP22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | 1760 Подробнее о заказе |
|
| FDD6688 | MOSFET N-CH 30V 84A DPAK | 153092 Подробнее о заказе |
|
| FQP9N25C | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3 | 867 Подробнее о заказе |
|
| FDMC6688P | MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN | 981 Подробнее о заказе |
|
| DMP2023UFDF-7 | MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN | 925 Подробнее о заказе |
|
| FDN352AP | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 | 834 Подробнее о заказе |
|
| STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | 1601 Подробнее о заказе |
|
| IPD50P04P413ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 935 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11844 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.32000 | $0.32 |
| 1500 | $ 0.31680 | $475.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.