HTNFET-D | Honeywell Aerospace HTNFET-D | HTNFET-D Inventory, Best Pricing

HTNFET-D

Увеличить

Только для справки

номер части	HTNFET-D
LIXINC Part #	HTNFET-D
Производитель	Honeywell Aerospace
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HTNFET-D След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HTNFET-D Технические характеристики

номер части:	HTNFET-D
Бренд:	Honeywell Aerospace
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Honeywell Aerospace
ряд:	HTMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.3 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 28 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	50W (Tj)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 225°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	8-CDIP-EP
упаковка / чехол:	8-CDIP Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$435.00000	$435

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015