Только для справки
| номер части | FDD26AN06A0 |
| LIXINC Part # | FDD26AN06A0 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDD26AN06A0 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDD26AN06A0 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 7A (Ta), 36A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 26mOhm @ 36A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 800 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 75W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252AA |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FKP280A | MOSFET N-CH 280V 40A TO3PF | 958 Подробнее о заказе |
|
| SIA445EDJT-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | 878 Подробнее о заказе |
|
| CSD17553Q5A | MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON | 5924 Подробнее о заказе |
|
| CSD18509Q5BT | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON | 35395 Подробнее о заказе |
|
| NTHL020N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 | 74721063 Подробнее о заказе |
|
| SIHB24N65ET5-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 | 926 Подробнее о заказе |
|
| DI080N03PQ | MOSFET N-CH 30V 80A 8QFN | 5818 Подробнее о заказе |
|
| SSM3J328R,LF | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F | 499178 Подробнее о заказе |
|
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 3A TO252-3 | 3329 Подробнее о заказе |
|
| NDF06N60ZG | MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP | 4286 Подробнее о заказе |
|
| DMN2005LP4K-7 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN | 2147484468 Подробнее о заказе |
|
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP | 11589 Подробнее о заказе |
|
| HAT1139H-EL-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2462 Подробнее о заказе |
| В наличии | 43557 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.94000 | $0.94 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.