IPD60R2K0PFD7SAUMA1

IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60R2K0PFD7SAUMA1
LIXINC Part # IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 3A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60R2K0PFD7SAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Технические характеристики

номер части:IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™PFD7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:134 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):20W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-344
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NDF06N60ZG NDF06N60ZG MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP 4366

Подробнее о заказе

DMN2005LP4K-7 DMN2005LP4K-7 MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN 2147484567

Подробнее о заказе

FDMB668P FDMB668P MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP 11529

Подробнее о заказе

HAT1139H-EL-E HAT1139H-EL-E P-CHANNEL POWER MOSFET 2309

Подробнее о заказе

FDPF5N50NZU FDPF5N50NZU MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F 2651

Подробнее о заказе

IRF9610PBF IRF9610PBF MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 2278

Подробнее о заказе

NX7002BK215 NX7002BK215 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 1339983

Подробнее о заказе

PMV117EN,215 PMV117EN,215 MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB 14589

Подробнее о заказе

IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK 865

Подробнее о заказе

SK8403180L SK8403180L MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO 3808

Подробнее о заказе

SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 10762

Подробнее о заказе

IXFA4N85X IXFA4N85X MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263 5216

Подробнее о заказе

IXTZ550N055T2 IXTZ550N055T2 MOSFET N-CH 55V 550A DE475 883

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13350 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.69000$0.69

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top