Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPA80R1K0CEXKSA2
LIXINC Part # IPA80R1K0CEXKSA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPA80R1K0CEXKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPA80R1K0CEXKSA2 Технические характеристики

номер части:IPA80R1K0CEXKSA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ CE
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:5.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.9V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:785 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):32W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-FP
упаковка / чехол:TO-220-3 Full Pack

IPA80R1K0CEXKSA2 Документы

if IPA80R1K0CEXKSA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

APT30M60J APT30M60J MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP 982

Подробнее о заказе
FQI10N60CTU FQI10N60CTU MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK 56180

Подробнее о заказе
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 3808

Подробнее о заказе
DMTH62M8LPS-13 DMTH62M8LPS-13 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 976

Подробнее о заказе
AUIRF7734M2TR AUIRF7734M2TR MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 5652

Подробнее о заказе
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK 2287

Подробнее о заказе
IRF9640SPBF IRF9640SPBF MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK 1143

Подробнее о заказе
IXTK600N04T2 IXTK600N04T2 MOSFET N-CH 40V 600A TO264 2793

Подробнее о заказе
DMT3006LFVQ-7 DMT3006LFVQ-7 MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 867

Подробнее о заказе
IXTH30N60P IXTH30N60P MOSFET N-CH 600V 30A TO247 1740

Подробнее о заказе
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO 11376

Подробнее о заказе
SQJQ100EL-T1_GE3 SQJQ100EL-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 2930

Подробнее о заказе
RM2309 RM2309 MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23 987

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11325 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.85000$1.85
10$1.67576$16.7576
100$1.34652$134.652
500$1.04725$523.625
1000$0.86772$867.72

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top