Только для справки
номер части | BSP318SH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP318SH6327XTSA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSP318SH6327XTSA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jun 15 - Jun 19 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSP318SH6327XTSA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | SIPMOS® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.6A (Tj) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 20µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 380 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-SOT223-4 |
упаковка / чехол: | TO-261-4, TO-261AA |
DMTH62M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 810 Подробнее о заказе |
|
AUIRF7734M2TR | MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | 5769 Подробнее о заказе |
|
SIDR622DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK | 2372 Подробнее о заказе |
|
IRF9640SPBF | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | 1207 Подробнее о заказе |
|
IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO264 | 2713 Подробнее о заказе |
|
DMT3006LFVQ-7 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | 906 Подробнее о заказе |
|
IXTH30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 1730 Подробнее о заказе |
|
SI4425BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | 11343 Подробнее о заказе |
|
SQJQ100EL-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | 2817 Подробнее о заказе |
|
RM2309 | MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23 | 910 Подробнее о заказе |
|
SI3440ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | 4633 Подробнее о заказе |
|
CSD18535KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | 1275 Подробнее о заказе |
|
R6008FNJTL | MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | 2607 Подробнее о заказе |
В наличии | 13752 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.87000 | $0.87 |
1000 | $0.42949 | $429.49 |
2000 | $0.39315 | $786.3 |
5000 | $0.36892 | $1844.6 |
10000 | $0.35681 | $3568.1 |
25000 | $0.35020 | $8755 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.