Только для справки
| номер части | IRFB3407ZPBF |
| LIXINC Part # | IRFB3407ZPBF |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRFB3407ZPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRFB3407ZPBF |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 75 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6.4mOhm @ 75A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 150µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4750 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 230W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220AB |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| SIS890ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK | 6960 Подробнее о заказе |
|
| SQD50P04-09L_GE3 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252 | 7032 Подробнее о заказе |
|
| IRFR4105PBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 1000 Подробнее о заказе |
|
| NTD3055L170T4 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 112902 Подробнее о заказе |
|
| FCH072N60F-F085 | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3 | 4302260 Подробнее о заказе |
|
| SIHH11N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8 | 992 Подробнее о заказе |
|
| SI7456CDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8 | 2316 Подробнее о заказе |
|
| TN0610N3-G-P013 | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | 907 Подробнее о заказе |
|
| IPT60R102G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 23A 8HSOF | 4109 Подробнее о заказе |
|
| PSMN050-80BS,118 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 4002 Подробнее о заказе |
|
| AO3451 | MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3 | 807 Подробнее о заказе |
|
| CSD19536KTT | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK | 2573 Подробнее о заказе |
|
| FDMC86260 | MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 | 17803891 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10890 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.74000 | $1.74 |
| 1000 | $1.05246 | $1052.46 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.