SIS890ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIS890ADN-T1-GE3 | SIS890ADN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIS890ADN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIS890ADN-T1-GE3
LIXINC Part #	SIS890ADN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIS890ADN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIS890ADN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIS890ADN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1330 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8

SQD50P04-09L_GE3	MOSFET P-CH 40V 50A TO252	6999 Подробнее о заказе
IRFR4105PBF	MOSFET N-CH 55V 27A DPAK	939 Подробнее о заказе
NTD3055L170T4	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK	112979 Подробнее о заказе
FCH072N60F-F085	MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3	4302347 Подробнее о заказе
SIHH11N65E-T1-GE3	MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8	884 Подробнее о заказе
SI7456CDP-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8	2189 Подробнее о заказе
TN0610N3-G-P013	MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3	904 Подробнее о заказе
IPT60R102G7XTMA1	MOSFET N-CH 650V 23A 8HSOF	4081 Подробнее о заказе
PSMN050-80BS,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	4099 Подробнее о заказе
AO3451	MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3	840 Подробнее о заказе
CSD19536KTT	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK	2701 Подробнее о заказе
FDMC86260	MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33	17803868 Подробнее о заказе
BTS282ZE3180AATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	75908 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.00000	$1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015