Только для справки
| номер части | FCB260N65S3 |
| LIXINC Part # | FCB260N65S3 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCB260N65S3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCB260N65S3 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | SuperFET® III |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 260mOhm @ 6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.2mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1010 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 90W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SIR438DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | 1520 Подробнее о заказе |
|
| SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK | 2214 Подробнее о заказе |
|
| BSS138NH6327XTSA2 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 | 102224 Подробнее о заказе |
|
| AUIRF1010ZS | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 13856 Подробнее о заказе |
|
| SQD40030E_GE3 | MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA | 931 Подробнее о заказе |
|
| STY100NM60N | MOSFET N CH 600V 98A MAX247 | 999 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5113PLWFT1G | MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN | 800 Подробнее о заказе |
|
| SIR401DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 | 6216 Подробнее о заказе |
|
| SIHG15N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC | 1306 Подробнее о заказе |
|
| IXFK170N25X3 | MOSFET N-CH 250V 170A TO264 | 823 Подробнее о заказе |
|
| DMP2075UVT-7 | MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R | 824 Подробнее о заказе |
|
| SI8483DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT | 16877 Подробнее о заказе |
|
| IMW120R030M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3 | 1519 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11755 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.13000 | $2.13 |
| 800 | $2.03963 | $1631.704 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.