Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS5113PLWFT1G
LIXINC Part # NVMFS5113PLWFT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS5113PLWFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS5113PLWFT1G Технические характеристики

номер части:NVMFS5113PLWFT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:10A (Ta), 64A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:14mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:83 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4400 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.8W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMFS5113PLWFT1G Документы

if NVMFS5113PLWFT1G PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 6246

Подробнее о заказе
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC 1272

Подробнее о заказе
IXFK170N25X3 IXFK170N25X3 MOSFET N-CH 250V 170A TO264 829

Подробнее о заказе
DMP2075UVT-7 DMP2075UVT-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R 812

Подробнее о заказе
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT 16798

Подробнее о заказе
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3 1511

Подробнее о заказе
TK72E12N1,S1X TK72E12N1,S1X MOSFET N CH 120V 72A TO-220 903

Подробнее о заказе
QS5U26TR QS5U26TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 813

Подробнее о заказе
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 1821

Подробнее о заказе
IXTA86N20X4 IXTA86N20X4 MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263 1974

Подробнее о заказе
DMP4065SQ-13 DMP4065SQ-13 MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R 962

Подробнее о заказе
SIR492DP-T1-GE3 SIR492DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 2069

Подробнее о заказе
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3 899

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10991 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.69000$2.69
1500$2.69000$4035

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top