SIDR402DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIDR402DP-T1-GE3 | SIDR402DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIDR402DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIDR402DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIDR402DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIDR402DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIDR402DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIDR402DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	64.6A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	165 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9100 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8DC
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

RJK03M8DNS-WS#J5	N-CHANNEL POWER MOSFET	5807 Подробнее о заказе
TSM70N380CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252	9376 Подробнее о заказе
AUIRLS8409-7P	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1786 Подробнее о заказе
STN2NF10	MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223	16773 Подробнее о заказе
IPI147N12N3GAKSA1	MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3	14994 Подробнее о заказе
SI2366DS-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3	830 Подробнее о заказе
CSD17318Q2T	MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON	324410913 Подробнее о заказе
FDS5680	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	23359 Подробнее о заказе
SQM100N02-3M5L_GE3	MOSFET N-CH 20V 100A TO263	1720 Подробнее о заказе
IPB50R199CPATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	1398 Подробнее о заказе
SI3455DV	P-CHANNEL MOSFET	12638 Подробнее о заказе
BUK962R6-40E,118	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	1528 Подробнее о заказе
NVMFS5C604NLWFT3G	MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN	814 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015