Только для справки
| номер части | FDS5680 |
| LIXINC Part # | FDS5680 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDS5680 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDS5680 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 20mOhm @ 8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.85 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOIC |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| SQM100N02-3M5L_GE3 | MOSFET N-CH 20V 100A TO263 | 1733 Подробнее о заказе |
|
| IPB50R199CPATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 1400 Подробнее о заказе |
|
| SI3455DV | P-CHANNEL MOSFET | 12608 Подробнее о заказе |
|
| BUK962R6-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 1608 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C604NLWFT3G | MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN | 878 Подробнее о заказе |
|
| 2SK4098LS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24077 Подробнее о заказе |
|
| NTMSD2P102LR2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC | 8347 Подробнее о заказе |
|
| SI3442DV | MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6 | 35917 Подробнее о заказе |
|
| DMNH10H028SPSQ-13 | MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 | 3287 Подробнее о заказе |
|
| STP55NF06FP | MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP | 917 Подробнее о заказе |
|
| DMP6110SVT-7 | MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 | 48577 Подробнее о заказе |
|
| FDB44N25TM | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK | 825 Подробнее о заказе |
|
| NP32N055SHE-E1-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5821 Подробнее о заказе |
| В наличии | 23473 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.68000 | $0.68 |
| 2500 | $0.33474 | $836.85 |
| 5000 | $0.31892 | $1594.6 |
| 12500 | $0.30763 | $3845.375 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.