Только для справки
| номер части | IPB80N04S404ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB80N04S404ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB80N04S404ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB80N04S404ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4.2mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 35µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 43 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3440 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 71W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| STB60NF06LT4 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 2309 Подробнее о заказе |
|
| DMNH4011SPS-13 | MOSFET N-CH 40V 13A PWRDI5060 | 989 Подробнее о заказе |
|
| DMT68M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 | 3387 Подробнее о заказе |
|
| AO3162 | MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23 | 882 Подробнее о заказе |
|
| IPA50R650CEZKSA2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 899 Подробнее о заказе |
|
| SPP02N80C3XKSA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 29960 Подробнее о заказе |
|
| IPL65R195C7AUMA1 | MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON | 3873 Подробнее о заказе |
|
| PSMN2R0-30BL,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 965 Подробнее о заказе |
|
| PH7030AL,115 | MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56 | 45983 Подробнее о заказе |
|
| FDC6308P | P-CHANNEL MOSFET | 42971 Подробнее о заказе |
|
| IPZ60R099P6FKSA1 | PFET, 600V, 0.099OHM, 1-ELEMENT, | 815 Подробнее о заказе |
|
| SI7106DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 | 17950 Подробнее о заказе |
|
| TK6R7P06PL,RQ | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | 881 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11000 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.60833 | $0.60833 |
| 1000 | $0.60833 | $608.33 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.