IRF7769L1TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7769L1TRPBF | IRF7769L1TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7769L1TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF7769L1TRPBF
LIXINC Part #	IRF7769L1TRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF7769L1TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF7769L1TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRF7769L1TRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A (Ta), 124A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 74A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	11560 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET L8
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric L8

STW24N60DM2	MOSFET N-CH 600V 18A TO247	1058 Подробнее о заказе
AUIRFN8401TR	AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET	32992 Подробнее о заказе
FQB2N50TM	MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK	994 Подробнее о заказе
NDFP03N150CG	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3	1595140767 Подробнее о заказе
IRFH5053TRPBF	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN	1325 Подробнее о заказе
SIHG11N80E-GE3	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC	978 Подробнее о заказе
SIS406DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8	3604 Подробнее о заказе
FQP3N90	MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3	34196 Подробнее о заказе
SISS70DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK	6525 Подробнее о заказе
CWDM3011N TR13 PBFREE	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	15910 Подробнее о заказе
SPD15N06S2L64	N-CHANNEL POWER MOSFET	900 Подробнее о заказе
TSM055N03EPQ56 RLG	MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN	4563 Подробнее о заказе
SI7190ADP-T1-RE3	MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK	3852 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.36000	$4.36
4000	$2.18741	$8749.64

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015