STW24N60DM2

STW24N60DM2
Увеличить

Только для справки

номер части STW24N60DM2
LIXINC Part # STW24N60DM2
Производитель STMicroelectronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD STW24N60DM2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STW24N60DM2 Технические характеристики

номер части:STW24N60DM2
Бренд:STMicroelectronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:STMicroelectronics
ряд:FDmesh™ II Plus
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1055 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-247
упаковка / чехол:TO-247-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRFN8401TR AUIRFN8401TR AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET 32863

Подробнее о заказе

FQB2N50TM FQB2N50TM MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK 990

Подробнее о заказе

NDFP03N150CG NDFP03N150CG MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3 1595140883

Подробнее о заказе

IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 1293

Подробнее о заказе

SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC 808

Подробнее о заказе

SIS406DN-T1-GE3 SIS406DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 3746

Подробнее о заказе

FQP3N90 FQP3N90 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3 34234

Подробнее о заказе

SISS70DN-T1-GE3 SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK 6432

Подробнее о заказе

CWDM3011N TR13 PBFREE CWDM3011N TR13 PBFREE MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC 15966

Подробнее о заказе

SPD15N06S2L64 SPD15N06S2L64 N-CHANNEL POWER MOSFET 897

Подробнее о заказе

TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56 RLG MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN 4545

Подробнее о заказе

SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK 3800

Подробнее о заказе

SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK 3274

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10944 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.39000$5.39
30$4.32965$129.8895
120$3.94487$473.3844
510$3.19438$1629.1338
1020$2.69406$2747.9412
2520$2.55935$6449.562

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top