SI7190DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7190DP-T1-GE3 | SI7190DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7190DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI7190DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7190DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI7190DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI7190DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI7190DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	250 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	18.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	118mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2214 pF @ 125 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5.4W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

DN2540N3-G-P003	MOSFET N-CH 400V 120MA TO92	2577 Подробнее о заказе
BSC014N04LSTATMA1	MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON	5934 Подробнее о заказе
DMN2400UFB-7	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	26555 Подробнее о заказе
SQR70090ELR_GE3	MOSFET N-CH 100V 86A DPAK	1261 Подробнее о заказе
SI4848ADY-T1-GE3	MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC	4944 Подробнее о заказе
TK10A60W,S4VX	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS	879 Подробнее о заказе
SI1302DL-T1-BE3	MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3	3955 Подробнее о заказе
SSM3J56MFV,L3F	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM	192544 Подробнее о заказе
BSO051N03MSGXUMA1	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	3402 Подробнее о заказе
IXFA270N06T3	MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA	82613 Подробнее о заказе
NVMFS5C406NT1G	MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN	956 Подробнее о заказе
IPB60R280P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK	3296 Подробнее о заказе
STP200NF03	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB	834 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015