IPB024N10N5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB024N10N5ATMA1 | IPB024N10N5ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB024N10N5ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB024N10N5ATMA1
LIXINC Part #	IPB024N10N5ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB024N10N5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB024N10N5ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB024N10N5ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 183µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	138 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	10200 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

HUF75337P3	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3	3438 Подробнее о заказе
STF21NM60ND	MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP	2192 Подробнее о заказе
NTDV5805NT4G	MOSFET N-CH 40V 51A DPAK	15400 Подробнее о заказе
FDB0250N807L	MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7	1711 Подробнее о заказе
TSM110NB04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN	3446 Подробнее о заказе
BUK9Y12-55B,115	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56	818 Подробнее о заказе
SI4430BDY-T1-E3	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO	938 Подробнее о заказе
IXTP20N65XM	MOSFET N-CH 650V 9A TO220	2642 Подробнее о заказе
AUIRLZ44ZL	MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB	10846 Подробнее о заказе
NX7002BKSX	MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP	1258 Подробнее о заказе
NTS4001NT1G	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	991867 Подробнее о заказе
IPP60R520E6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3	2493 Подробнее о заказе
DMG2301LK-7	MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23	867 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.10678	$3.10678
1000	$3.10678	$3106.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015