FDB0250N807L | Rochester Electronics FDB0250N807L | FDB0250N807L Inventory, Best Pricing

FDB0250N807L

Увеличить

Только для справки

номер части	FDB0250N807L
LIXINC Part #	FDB0250N807L
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDB0250N807L След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDB0250N807L Технические характеристики

номер части:	FDB0250N807L
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	240A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	15.4 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 214W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-7
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

TSM110NB04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN	3422 Подробнее о заказе
BUK9Y12-55B,115	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56	989 Подробнее о заказе
SI4430BDY-T1-E3	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO	876 Подробнее о заказе
IXTP20N65XM	MOSFET N-CH 650V 9A TO220	2640 Подробнее о заказе
AUIRLZ44ZL	MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB	10840 Подробнее о заказе
NX7002BKSX	MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP	1300 Подробнее о заказе
NTS4001NT1G	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	991898 Подробнее о заказе
IPP60R520E6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3	2586 Подробнее о заказе
DMG2301LK-7	MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23	963 Подробнее о заказе
NDT2955	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4	855 Подробнее о заказе
PH3330L,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	2433 Подробнее о заказе
SIR167DP-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8	5835 Подробнее о заказе
IXTA140N055T2	MOSFET N-CH 55V 140A TO263	811 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.46000	$2.46
800	$2.46000	$1968

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015