Только для справки
| номер части | FCP650N80Z |
| LIXINC Part # | FCP650N80Z |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCP650N80Z След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCP650N80Z |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | SuperFET® II |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 650mOhm @ 4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 800µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1565 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 162W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 5181 Подробнее о заказе |
|
| FDD8874 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 32217 Подробнее о заказе |
|
| IPB024N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1504 Подробнее о заказе |
|
| SIS862ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK | 2266 Подробнее о заказе |
|
| SIR416DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | 2672 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | 1845 Подробнее о заказе |
|
| R6011KND3TL1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 | 851 Подробнее о заказе |
|
| IPB097N08N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 964 Подробнее о заказе |
|
| IRFI9640GPBF | MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3 | 1434 Подробнее о заказе |
|
| CSD13381F4T | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | 1008 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4700NR2G | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | 5870 Подробнее о заказе |
|
| SQM40014EM_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 | 870 Подробнее о заказе |
|
| IRFR024NTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 838 Подробнее о заказе |
| В наличии | 6573374 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.12000 | $2.12 |
| 10 | $1.91466 | $19.1466 |
| 100 | $1.53837 | $153.837 |
| 800 | $1.08024 | $864.192 |
| 1600 | $0.99137 | $1586.192 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.