IPT007N06NATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT007N06NATMA1 | IPT007N06NATMA1 Inventory, Best Pricing

IPT007N06NATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPT007N06NATMA1
LIXINC Part #	IPT007N06NATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPT007N06NATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPT007N06NATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPT007N06NATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	300A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.75mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.3V @ 280µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	287 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	16000 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	375W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

PSMN030-150B,118	MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK	10489 Подробнее о заказе
FCPF260N60E	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N	887 Подробнее о заказе
RFD16N06LESM9A	MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA	6476 Подробнее о заказе
RFD7N10LE	N-CHANNEL POWER MOSFET	6759 Подробнее о заказе
PMZ600UNELYL	MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3	909 Подробнее о заказе
TK6A53D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS	860 Подробнее о заказе
RRF015P03TL	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3	924 Подробнее о заказе
BUK652R0-30C,127	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB	4103 Подробнее о заказе
NTMFS5C604NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4322 Подробнее о заказе
FQPF33N10	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	856 Подробнее о заказе
STI57N65M5	MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK	882 Подробнее о заказе
SI4101DY-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO	4666 Подробнее о заказе
IXTA90N075T2-TRL	MOSFET N-CH 75V 90A TO263	809 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$7.22000	$7.22
2000	$3.62378	$7247.56

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015