SCT2H12NZGC11 | ROHM Semiconductor SCT2H12NZGC11 | SCT2H12NZGC11 Inventory, Best Pricing

SCT2H12NZGC11

Увеличить

Только для справки

номер части	SCT2H12NZGC11
LIXINC Part #	SCT2H12NZGC11
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SCT2H12NZGC11 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SCT2H12NZGC11 Технические характеристики

номер части:	SCT2H12NZGC11
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 900µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+22V, -6V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	184 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	35W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3PFM
упаковка / чехол:	TO-3PFM, SC-93-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015