Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD30N06S215ATMA2
LIXINC Part # IPD30N06S215ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD30N06S215ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD30N06S215ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD30N06S215ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 80µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1485 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N06S215ATMA2 Документы

if IPD30N06S215ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPI80N04S404AKSA1 IPI80N04S404AKSA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 37160

Подробнее о заказе
MTA2N60E MTA2N60E N-CHANNEL POWER MOSFET 19693

Подробнее о заказе
STB33N60DM6 STB33N60DM6 MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK 1822

Подробнее о заказе
STW40N60M2 STW40N60M2 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 1417

Подробнее о заказе
IRFL024NPBF IRFL024NPBF HEXFET POWER MOSFET 2184

Подробнее о заказе
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 812

Подробнее о заказе
DMT3006LFG-13 DMT3006LFG-13 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 976

Подробнее о заказе
RVQ040N05TR RVQ040N05TR MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 1046

Подробнее о заказе
RCX050N25 RCX050N25 MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM 836

Подробнее о заказе
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF MOSFET P-CH 30V 11A 8SO 8464

Подробнее о заказе
AO7417 AO7417 MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6 912

Подробнее о заказе
IRFB4020PBF IRFB4020PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 941

Подробнее о заказе
APT75M50B2 APT75M50B2 MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 924

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11688 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.44000$1.44
2500$0.54283$1357.075
5000$0.51569$2578.45
12500$0.49630$6203.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top