BSZ031NE2LS5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ031NE2LS5ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ031NE2LS5ATMA1
LIXINC Part #	BSZ031NE2LS5ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ031NE2LS5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ031NE2LS5ATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ031NE2LS5ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1230 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

IXTR16P60P	MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247	1899 Подробнее о заказе
RJK03E3DNS-00#J5	MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON	5607 Подробнее о заказе
IRLZ24NPBF	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB	815 Подробнее о заказе
SI2102-TP	MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323	36253 Подробнее о заказе
IPB80P04P4L04ATMA1	OPTLMOS P-CHANNEL POWER MOSFET	10326 Подробнее о заказе
DMTH6004SPSQ-13	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060	877 Подробнее о заказе
IRL7472L1TRPBF	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET	913 Подробнее о заказе
PMV65XP1215	P-CHANNEL MOSFET	12817 Подробнее о заказе
SQJ403BEEP-T1_GE3	MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8	3472 Подробнее о заказе
IPAW60R600P7SXKSA1	MOSFET N-CH 600V 6A TO220	983 Подробнее о заказе
IRF3709SPBF	HEXFET SMPS POWER MOSFET	4408 Подробнее о заказе
FQP2P25	MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3	933 Подробнее о заказе
NTJS4151PT1G	MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6	972 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.19000	$1.19
5000	$0.47907	$2395.35

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015