IRL7472L1TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRL7472L1TRPBF | IRL7472L1TRPBF Inventory, Best Pricing

IRL7472L1TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRL7472L1TRPBF
LIXINC Part #	IRL7472L1TRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRL7472L1TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRL7472L1TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRL7472L1TRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	StrongIRFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	375A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.59mOhm @ 195A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	330 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	20082 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 341W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET L8
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric L8

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.36000	$4.36
4000	$2.18741	$8749.64

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015