Только для справки
| номер части | IPD65R190C7ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPD65R190C7ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD65R190C7ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD65R190C7ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 13A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 290µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1150 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 72W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IXTH150N15X4 | MOSFET N-CH 150V 150A TO247 | 572168 Подробнее о заказе |
|
| STD9N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK | 875 Подробнее о заказе |
|
| STV300NH02L | MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO | 1957 Подробнее о заказе |
|
| BSZ031NE2LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON | 5539 Подробнее о заказе |
|
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 | 1842 Подробнее о заказе |
|
| RJK03E3DNS-00#J5 | MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON | 5501 Подробнее о заказе |
|
| IRLZ24NPBF | MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB | 875 Подробнее о заказе |
|
| SI2102-TP | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323 | 36204 Подробнее о заказе |
|
| IPB80P04P4L04ATMA1 | OPTLMOS P-CHANNEL POWER MOSFET | 10470 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6004SPSQ-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 | 964 Подробнее о заказе |
|
| IRL7472L1TRPBF | MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET | 943 Подробнее о заказе |
|
| PMV65XP1215 | P-CHANNEL MOSFET | 12998 Подробнее о заказе |
|
| SQJ403BEEP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 3447 Подробнее о заказе |
| В наличии | 19508 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.06000 | $3.06 |
| 2500 | $1.45520 | $3638 |
| 5000 | $1.40130 | $7006.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.