RT1C060UNTR | ROHM Semiconductor RT1C060UNTR | RT1C060UNTR Inventory, Best Pricing

RT1C060UNTR

Увеличить

Только для справки

номер части	RT1C060UNTR
LIXINC Part #	RT1C060UNTR
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RT1C060UNTR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RT1C060UNTR Технические характеристики

номер части:	RT1C060UNTR
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	650mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-TSST
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015