Только для справки
| номер части | IPL65R650C6SATMA1 |
| LIXINC Part # | IPL65R650C6SATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPL65R650C6SATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPL65R650C6SATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C6 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 210µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 21 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 440 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 56.8W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | Thin-PAK (5x6) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| TP90H180PS | GANFET N-CH 900V 15A TO220AB | 954 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A08GTA | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | 7437 Подробнее о заказе |
|
| CSD22206W | MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA | 3951 Подробнее о заказе |
|
| IPD65R190C7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 | 9522 Подробнее о заказе |
|
| IXTH150N15X4 | MOSFET N-CH 150V 150A TO247 | 572029 Подробнее о заказе |
|
| STD9N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK | 855 Подробнее о заказе |
|
| STV300NH02L | MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO | 1788 Подробнее о заказе |
|
| BSZ031NE2LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON | 5461 Подробнее о заказе |
|
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 | 1909 Подробнее о заказе |
|
| RJK03E3DNS-00#J5 | MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON | 5476 Подробнее о заказе |
|
| IRLZ24NPBF | MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB | 881 Подробнее о заказе |
|
| SI2102-TP | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323 | 36245 Подробнее о заказе |
|
| IPB80P04P4L04ATMA1 | OPTLMOS P-CHANNEL POWER MOSFET | 10471 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10992 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.82128 | $0.82128 |
| 5000 | $0.82128 | $4106.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.