IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPI032N06N3GAKSA1
LIXINC Part # IPI032N06N3GAKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPI032N06N3GAKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPI032N06N3GAKSA1 Технические характеристики

номер части:IPI032N06N3GAKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 118µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:165 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:13 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):188W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO262-3
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 2159

Подробнее о заказе

SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8 5981

Подробнее о заказе

STP7NK40Z STP7NK40Z MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB 43654

Подробнее о заказе

ZVN4424A ZVN4424A MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 12261

Подробнее о заказе

FQB34P10TM FQB34P10TM MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK 812

Подробнее о заказе

APT17F120J APT17F120J MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP 847

Подробнее о заказе

SPS04N60C3 SPS04N60C3 N-CHANNEL POWER MOSFET 77877

Подробнее о заказе

BUK968R3-40E,118 BUK968R3-40E,118 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 5634

Подробнее о заказе

IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 2059

Подробнее о заказе

PMV130ENEA/DG/B2215 PMV130ENEA/DG/B2215 PMV130ENEA SMALL SIGNAL FET 21829

Подробнее о заказе

IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B 1256

Подробнее о заказе

DMNH6011LK3-13 DMNH6011LK3-13 MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R 987

Подробнее о заказе

FDC2612 FDC2612 MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 10614

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11242 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.15000$1.15
10$1.03951$10.3951
100$0.83529$83.529

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top