Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N04S4L08ATMA1
LIXINC Part # IPD50N04S4L08ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N04S4L08ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N04S4L08ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N04S4L08ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 17µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2340 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):46W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N04S4L08ATMA1 Документы

if IPD50N04S4L08ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PMV130ENEA/DG/B2215 PMV130ENEA/DG/B2215 PMV130ENEA SMALL SIGNAL FET 21889

Подробнее о заказе
IXFN520N075T2 IXFN520N075T2 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B 1326

Подробнее о заказе
DMNH6011LK3-13 DMNH6011LK3-13 MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R 981

Подробнее о заказе
FDC2612 FDC2612 MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 10590

Подробнее о заказе
IRF9520NPBF IRF9520NPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB 3151

Подробнее о заказе
FDMS86200DC FDMS86200DC MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56 208769949

Подробнее о заказе
STF12N65M2 STF12N65M2 MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP 1201

Подробнее о заказе
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 MOSFET N-CH 300V 56A TO247 430438

Подробнее о заказе
RDD022N60TL RDD022N60TL MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 980

Подробнее о заказе
NTHD4N02FT1G NTHD4N02FT1G MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET 239215

Подробнее о заказе
SSM3J372R,LXHF SSM3J372R,LXHF AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F 3803

Подробнее о заказе
NTMYS3D3N06CLTWG NTMYS3D3N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4 953

Подробнее о заказе
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 880

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12232 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.84000$0.84
2500$0.34936$873.4
5000$0.32526$1626.3
12500$0.31321$3915.125
25000$0.30664$7666

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top