Только для справки
| номер части | FCB290N80 |
| LIXINC Part # | FCB290N80 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCB290N80 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCB290N80 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | SuperFET® II |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 17A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.7mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 75 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3205 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 212W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| CSD17576Q5BT | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | 1083 Подробнее о заказе |
|
| RD3G600GNTL | MOSFET N-CH 40V 60A TO252 | 2827 Подробнее о заказе |
|
| IPZ60R040C7XKSA1 | IPZ60R040C7 - 600V COOLMOS N-CHA | 1826 Подробнее о заказе |
|
| BUK9Y107-80EX | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 | 802 Подробнее о заказе |
|
| IRL610A | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3 | 2625 Подробнее о заказе |
|
| SIR680LDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK | 6849 Подробнее о заказе |
|
| GA10SICP12-263 | TRANS SJT 1200V 25A D2PAK | 890 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLR3110ZTRL | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 958 Подробнее о заказе |
|
| SI4427BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO | 863 Подробнее о заказе |
|
| CPC3909CTR | MOSFET N-CH 400V 300MA SOT89 | 954 Подробнее о заказе |
|
| DIT150N03 | MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB | 1021 Подробнее о заказе |
|
| BSC091N03MSCG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15882 Подробнее о заказе |
|
| SQJ414EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 1816 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11745 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.81000 | $3.81 |
| 800 | $2.35823 | $1886.584 |
| 1600 | $2.20914 | $3534.624 |
| 2400 | $2.10478 | $5051.472 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.