Только для справки
| номер части | IPZ60R040C7XKSA1 |
| LIXINC Part # | IPZ60R040C7XKSA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | IPZ60R040C7 - 600V COOLMOS N-CHA |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPZ60R040C7XKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPZ60R040C7XKSA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 40mOhm @ 24.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1.24mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 107 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4.34 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 227W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO247-4 |
| упаковка / чехол: | TO-247-4 |
| BUK9Y107-80EX | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56 | 883 Подробнее о заказе |
|
| IRL610A | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3 | 2596 Подробнее о заказе |
|
| SIR680LDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK | 7026 Подробнее о заказе |
|
| GA10SICP12-263 | TRANS SJT 1200V 25A D2PAK | 897 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLR3110ZTRL | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | 948 Подробнее о заказе |
|
| SI4427BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO | 859 Подробнее о заказе |
|
| CPC3909CTR | MOSFET N-CH 400V 300MA SOT89 | 838 Подробнее о заказе |
|
| DIT150N03 | MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB | 1115 Подробнее о заказе |
|
| BSC091N03MSCG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15859 Подробнее о заказе |
|
| SQJ414EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | 1849 Подробнее о заказе |
|
| IRFD420PBF | MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP | 3304 Подробнее о заказе |
|
| SI7615DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 | 5945 Подробнее о заказе |
|
| SIHH120N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8 | 3148 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11710 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.94000 | $6.94 |
| 10 | $6.35568 | $63.5568 |
| 240 | $5.47843 | $1314.8232 |
| 720 | $4.74709 | $3417.9048 |
| 1200 | $4.39604 | $5275.248 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.