Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FQD3N30TF

FQD3N30TF
Увеличить

Только для справки

номер части FQD3N30TF
LIXINC Part # FQD3N30TF
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQD3N30TF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD3N30TF Технические характеристики

номер части:FQD3N30TF
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:QFET®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):300 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-Pak
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD3N30TF Документы

if FQD3N30TF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIDR870ADP-T1-GE3 SIDR870ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC 4925

Подробнее о заказе
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8 3943

Подробнее о заказе
SISH407DN-T1-GE3 SISH407DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK 8807

Подробнее о заказе
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 888

Подробнее о заказе
IRFF321 IRFF321 N-CHANNEL POWER MOSFET 842

Подробнее о заказе
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56 30009846

Подробнее о заказе
FDB050AN06A0 FDB050AN06A0 MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK 906

Подробнее о заказе
IPS80R1K4P7AKMA1 IPS80R1K4P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 801

Подробнее о заказе
IRFSL7530PBF IRFSL7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO262 5152

Подробнее о заказе
IXTT12N150HV IXTT12N150HV MOSFET N-CH 1500V 12A TO268 1948

Подробнее о заказе
DMTH6005LK3Q-13 DMTH6005LK3Q-13 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-4L 1000

Подробнее о заказе
NTD3817N-35G NTD3817N-35G MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK 16456

Подробнее о заказе
CSD17555Q5A CSD17555Q5A OXIDE SEMICONDUCTOR FET 208832

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12795 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.29000$0.29

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top