FDMS8050ET30 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS8050ET30

FDMS8050ET30

Увеличить

Только для справки

номер части	FDMS8050ET30
LIXINC Part #	FDMS8050ET30
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDMS8050ET30 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDMS8050ET30 Технические характеристики

номер части:	FDMS8050ET30
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	55A (Ta), 423A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.65mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 750µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	285 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	22610 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.3W (Ta), 180W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Power56
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015