Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN80R3K3P7ATMA1

IPN80R3K3P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part # IPN80R3K3P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN80R3K3P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN80R3K3P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN80R3K3P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:5.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 500 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.1W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

IPN80R3K3P7ATMA1 Документы

if IPN80R3K3P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRFR024N AUIRFR024N MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA 3967

Подробнее о заказе
FDS6675BZ FDS6675BZ MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 3982

Подробнее о заказе
DMN2114SN-7 DMN2114SN-7 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 3983

Подробнее о заказе
BSH111,215 BSH111,215 MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB 413704

Подробнее о заказе
DMN3018SFG-7 DMN3018SFG-7 MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8 954

Подробнее о заказе
IPB065N10N3GATMA1 IPB065N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 826

Подробнее о заказе
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT-7 MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 1298

Подробнее о заказе
RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP 3174

Подробнее о заказе
BUK754R0-55B,127 BUK754R0-55B,127 PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1 2556

Подробнее о заказе
FDP12N50 FDP12N50 MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 2136

Подробнее о заказе
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8 940

Подробнее о заказе
NTE2385 NTE2385 MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220 1366

Подробнее о заказе
RM3400 RM3400 MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 823

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11072 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.75000$0.75
3000$0.33655$1009.65
6000$0.31581$1894.86
15000$0.30544$4581.6
30000$0.29978$8993.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top