Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB065N10N3GATMA1
LIXINC Part # IPB065N10N3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB065N10N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB065N10N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB065N10N3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4910 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB065N10N3GATMA1 Документы

if IPB065N10N3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT-7 MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 1351

Подробнее о заказе
RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP 3287

Подробнее о заказе
BUK754R0-55B,127 BUK754R0-55B,127 PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1 2429

Подробнее о заказе
FDP12N50 FDP12N50 MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 2198

Подробнее о заказе
SIR873DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8 950

Подробнее о заказе
NTE2385 NTE2385 MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220 1258

Подробнее о заказе
RM3400 RM3400 MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23 998

Подробнее о заказе
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON 10050

Подробнее о заказе
AUIRFU8405 AUIRFU8405 MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK 6958

Подробнее о заказе
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 861

Подробнее о заказе
STD18NF25 STD18NF25 MOSFET N-CH 250V 17A DPAK 860

Подробнее о заказе
IXFK320N17T2 IXFK320N17T2 MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA 494173

Подробнее о заказе
IPA90R800C3 IPA90R800C3 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 986

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10902 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.36518$1.36518
1000$1.36518$1365.18

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top