Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC014NE2LSIATMA1
LIXINC Part # BSC014NE2LSIATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC014NE2LSIATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC014NE2LSIATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC014NE2LSIATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:33A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 74W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-7
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC014NE2LSIATMA1 Документы

if BSC014NE2LSIATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRL620STRLPBF IRL620STRLPBF MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK 1678

Подробнее о заказе
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 878

Подробнее о заказе
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK 4112

Подробнее о заказе
SPP03N60S5XKSA1 SPP03N60S5XKSA1 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 37409

Подробнее о заказе
TN0110N3-G TN0110N3-G MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 1698

Подробнее о заказе
TPH3R003PL,LQ TPH3R003PL,LQ MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP 854

Подробнее о заказе
BUK6Y14-40PX BUK6Y14-40PX MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56 982

Подробнее о заказе
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON 829

Подробнее о заказе
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB 1062

Подробнее о заказе
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 1903

Подробнее о заказе
RCJ160N20TL RCJ160N20TL MOSFET N-CH 200V 16A LPTS 982

Подробнее о заказе
PSMN6R1-30YLDX PSMN6R1-30YLDX MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56 909

Подробнее о заказе
IPI072N10N3GXKSA1 IPI072N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 981

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 31997 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.48000$1.48
5000$0.71067$3553.35
10000$0.68703$6870.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top