Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC010N04LSATMA1
LIXINC Part # BSC010N04LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC010N04LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC010N04LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC010N04LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:38A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:95 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6800 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8 FL
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC010N04LSATMA1 Документы

if BSC010N04LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB 1032

Подробнее о заказе
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 1877

Подробнее о заказе
RCJ160N20TL RCJ160N20TL MOSFET N-CH 200V 16A LPTS 996

Подробнее о заказе
PSMN6R1-30YLDX PSMN6R1-30YLDX MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56 984

Подробнее о заказе
IPI072N10N3GXKSA1 IPI072N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 989

Подробнее о заказе
2SJ646-TL-E 2SJ646-TL-E P-CHANNEL SILICON MOSFET 76412

Подробнее о заказе
SQ7414CENW-T1_GE3 SQ7414CENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W 3844

Подробнее о заказе
SUD20N10-66L-GE3 SUD20N10-66L-GE3 MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252 836

Подробнее о заказе
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 MOSFET N-CH 700V 12A TO247 2231

Подробнее о заказе
NVMFS5A140PLZWFT3G NVMFS5A140PLZWFT3G MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN 898

Подробнее о заказе
IXFX210N30X3 IXFX210N30X3 MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3 1077

Подробнее о заказе
CSD17308Q3T CSD17308Q3T MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON 7191

Подробнее о заказе
SQD100N03-3M2L_GE3 SQD100N03-3M2L_GE3 MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA 2647

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10965 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.56000$2.56
5000$1.27653$6382.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top