Только для справки
| номер части | SPB08P06PGATMA1 |
| LIXINC Part # | SPB08P06PGATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 12V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SPB08P06PGATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SPB08P06PGATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | SIPMOS® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8.8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 300mOhm @ 6.2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 420 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IXFP14N85X | MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB | 224618 Подробнее о заказе |
|
| IRFR3708TRPBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 898 Подробнее о заказе |
|
| IXTJ6N150 | MOSFET N-CH 1500V 3A TO247 | 1310 Подробнее о заказе |
|
| BUK625R0-40C,118 | PFET, 90A I(D), 40V, 0.0083OHM, | 855 Подробнее о заказе |
|
| SSM3J340R,LF | MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F | 4752 Подробнее о заказе |
|
| FSS273-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 2806 Подробнее о заказе |
|
| FDD770N15A | MOSFET N CH 150V 18A DPAK | 14038388 Подробнее о заказе |
|
| UF3C120400K3S | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 1381 Подробнее о заказе |
|
| IRFR014TRPBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 2977 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 10911 Подробнее о заказе |
|
| IRF1018EPBF | MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB | 861 Подробнее о заказе |
|
| IPD80R1K0CEATMA1 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 | 835 Подробнее о заказе |
|
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | 1822 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10934 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.29000 | $0.29 |
| 1000 | $0.29000 | $290 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.