Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S2LH5ATMA4
LIXINC Part # IPB80N06S2LH5ATMA4
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S2LH5ATMA4 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S2LH5ATMA4 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S2LH5ATMA4
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:190 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S2LH5ATMA4 Документы

if IPB80N06S2LH5ATMA4 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF1018EPBF IRF1018EPBF MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB 892

Подробнее о заказе
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 801

Подробнее о заказе
SIHP30N60E-E3 SIHP30N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB 1829

Подробнее о заказе
PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSRQ MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 899

Подробнее о заказе
SUD90330E-GE3 SUD90330E-GE3 MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA 1267

Подробнее о заказе
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS,118 MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK 5287

Подробнее о заказе
TK16V60W,LVQ TK16V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN 935

Подробнее о заказе
R6520ENJTL R6520ENJTL MOSFET N-CH 650V 20A LPTS 1008

Подробнее о заказе
IXTL2N450 IXTL2N450 MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK 971

Подробнее о заказе
BUK761R7-40E,118 BUK761R7-40E,118 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 930

Подробнее о заказе
FDC608PZ FDC608PZ MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6 1174

Подробнее о заказе
IPP085N06LGAKSA1 IPP085N06LGAKSA1 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 15961

Подробнее о заказе
IPT012N06NATMA1 IPT012N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF 967

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10911 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.54000$1.54
1000$1.37202$1372.02

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top