IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60R600P7SAUMA1
LIXINC Part # IPD60R600P7SAUMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60R600P7SAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60R600P7SAUMA1 Технические характеристики

номер части:IPD60R600P7SAUMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 80µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:363 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):30W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STD16N50M2 STD16N50M2 MOSFET N-CH 500V 13A TO252 1082

Подробнее о заказе

DMT3003LFG-7 DMT3003LFG-7 MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333 6915

Подробнее о заказе

NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3A18PZCTAG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN 438928

Подробнее о заказе

IXFK20N120P IXFK20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA 2902

Подробнее о заказе

IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 1566

Подробнее о заказе

DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO 24335812

Подробнее о заказе

C3M0160120D C3M0160120D SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3 811

Подробнее о заказе

IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV 1617

Подробнее о заказе

SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC 1379

Подробнее о заказе

NX3008NBKW,115 NX3008NBKW,115 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 140933

Подробнее о заказе

FQPF5P10 FQPF5P10 MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F 5416

Подробнее о заказе

TK10V60W,LVQ TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN 871

Подробнее о заказе

SISS22LDN-T1-GE3 SISS22LDN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK 6695

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12034 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.83000$0.83
2500$0.40152$1003.8
5000$0.37678$1883.9
12500$0.36440$4555
25000$0.35766$8941.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top