SISS22LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 | SISS22LDN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS22LDN-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SISS22LDN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS22LDN-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SISS22LDN-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SISS22LDN-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SISS22LDN-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2540 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® 1212-8S
упаковка / чехол:	PowerPAK® 1212-8S

BUK653R2-55C,127	PFET, 120A I(D), 55V, 0.0048OHM,	4609 Подробнее о заказе
APT8043BFLLG	MOSFET N-CH 800V 20A TO247	921 Подробнее о заказе
CSD18534Q5AT	MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON	924 Подробнее о заказе
SQM70060EL_GE3	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	2960 Подробнее о заказе
MMBF2202PT1	MOSFET P-CH 20V 300MA SC70-3	1496127 Подробнее о заказе
IPB020N10N5LFATMA1	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3	904 Подробнее о заказе
HAT1043M-EL-E	4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET	16664 Подробнее о заказе
NDS8425	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	61312 Подробнее о заказе
SUP50020EL-GE3	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB	3414 Подробнее о заказе
IRFH8303TRPBF	MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN	2557 Подробнее о заказе
IXTP1N100P	MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB	872 Подробнее о заказе
STU7LN80K5	MOSFET N-CH 800V 5A IPAK	6864 Подробнее о заказе
IPB65R095C7ATMA2	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3	2870 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.26000	$1.26

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015